所属领域：微电子
1.在新型平板显示中，当下新兴的高清显示、虚拟现实以及裸眼3D显示技术都要求使用高速电路，未来器件的工作频率将越来越高。
2.预期几年之内，TFT的动态退化将成为制约器件可靠性提高的瓶颈。
3.本项目根据低温多晶硅TFT的动态退化模型，提出并设计一种含退化抑制结构的新型高可靠性多晶硅TFT：在传统的三端TFT器件沟道侧面制备与沟道互补掺杂的第四端——sub端。
4.优势：
j在新型TFT器件中，引入退化抑制结构之后，器件的正常工作状态不会受影响，但TFT的动态退化效应会被大幅抑制，从而延长显示寿命；
k该工艺与CMOS TFT工艺技术相兼容，且不需要包含LDD结构，但其退化抑制效果优于LDD器件；
③即使当Vsub处于反偏状态(例如-2V电压)，虽然其退化抑制的效果弱于sub零偏或正偏时,但动态退化抑制结构依然有效。
5.该技术方案已申请发明专利，目前已通过复审，即将获得授权。同时申请的PCT国际专利也在实质审查阶段。
